0371-5536 5392 0371-5519 9322
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PECVD等離子體增強化學... 化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度。適用...
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CVD化學氣相沉積系統(tǒng) CVD（化學氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應物質(zhì)與基底表面反應，形成薄膜
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派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，用于在材料表面上制備薄膜。它是在真空環(huán)境中使用氣相化學反應來沉...
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PECVD氣相沉積 PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應用
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旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD化學沉... 旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD化學沉積系統(tǒng)十分適合在氣氛保護的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾，旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD...
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雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐CVD... 雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐CVD系統(tǒng)十分適合在氣氛保護的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾，雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐C...
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等離子增強物理化學氣相沉積... 等離子增強物理化學氣相沉積HPCVD包括一臺雙溫區(qū)管式爐，一套鎢絲蒸發(fā)源，一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計系統(tǒng)，等離...
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晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝... 晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝置包括三溫區(qū)管式爐，特殊設計的爐管及配套氣路一組，晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝置通過特殊設計的管...