0371-5536 5392 0371-5519 9322
CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結(jié)晶鉆石，它的化學(xué)成分為碳，運用先進(jìn)的設(shè)備模擬大自然中鉆石生長環(huán)境，通過化學(xué)氣象沉積技術(shù)（CVD）栽種而成.
MPCVD單晶金剛石沉積設(shè)備
適合的應(yīng)用:化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)單晶金剛石
化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)多晶金剛石自支撐厚膜
化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)多晶金剛石薄膜
化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯、碳納米管、富勒烯和金剛石膜等各種碳納米薄膜
產(chǎn)品特點：
本產(chǎn)品為不銹鋼腔體式6kw微波等離子體設(shè)備，功率密度高；
水冷式基片臺和水冷式金屬反映腔，保證系統(tǒng)能長時間穩(wěn)定工作；
基片溫度以微波等離子體自加熱方式達(dá)到；
真空測量儀表采用全量程真空計，可**測量本底真空和工作氣體壓強(qiáng)；
真空泵及閥門采用渦輪分子泵(極限真空為1×10-5Pa)和旋片式機(jī)械真空泵(極限真空為1Pa)，系統(tǒng)可自動控制沉積氣壓；
配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，確保裝置高功率下可長時間**穩(wěn)定運行；
系統(tǒng)帶15寸觸摸屏，PLC自動控制，可設(shè)置溫度或氣壓恒定，可保存復(fù)用多達(dá)20套工藝文件；
全自動工藝控制模塊，可以穩(wěn)定可靠地制備高品質(zhì)金剛石薄膜和晶體
技術(shù)指標(biāo)與特性
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微波系統(tǒng)（法國Sairem 微波源） |
微波頻率 |
2450±25MHz |
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輸出功率 |
0.6kw~6kw 連續(xù)可調(diào) |
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微波調(diào)諧 |
三銷釘調(diào)配器，模式轉(zhuǎn)換天線 |
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微波反射保護(hù) |
環(huán)形器，水負(fù)載 |
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微波工作模式 |
TM013 |
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微波泄漏 |
≤ 2 mw/cm2 |
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真空系統(tǒng) |
工作氣壓范圍 |
10~250Torr |
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自動穩(wěn)壓范圍 |
40~250Torr |
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真空泵 |
4.4L/s 旋片式真空泵 |
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系統(tǒng)漏率 |
<1.0x10-9 Pa?m3 /秒 (通過氦質(zhì)譜檢漏儀檢測) |
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腔體保壓能力 |
每24 小時壓升小于0.2 乇 |
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本底極限真空 |
0.1Pa（7.5 x10-4 Torr) |
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真空測量 |
品牌薄膜規(guī) |
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真空反應(yīng)腔 |
反應(yīng)腔材料及結(jié)構(gòu) |
雙層水冷不銹鋼反應(yīng)腔 |
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真空密封 |
金屬密封+氟膠圈密封(取樣門) |
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反應(yīng)腔內(nèi)徑 |
直徑140mm |
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樣品臺窗口 |
105x50mm 長方形端口，帶O 形氟橡膠圈密封的前門 |
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觀察窗口 |
兩個端口，CF35 大口徑，180°分布 |
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測溫窗口 |
兩個窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便從反應(yīng)腔上部的 斜角向下檢測樣品臺的溫度 |
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樣品臺 |
電動升降式水冷基片臺 直徑100mm，高度可調(diào)范圍0～70mm |
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鉬基片臺直徑≥50mm，在5000w, 180Torr 工作狀態(tài)，等離子體火球可覆蓋 整個基片臺 |
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基片臺溫度 250～1400℃（取決于工藝參數(shù)） |
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氣路 |
選用日本進(jìn)口流量計及流量控制閥 |
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系統(tǒng)自帶四路MFC |
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四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm |
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測溫系統(tǒng) |
德國Raytek 紅外測溫系統(tǒng)，測溫范圍：300~1300 攝氏度 |
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系統(tǒng)軟件 |
配置PLC 控制的15“觸摸顯示屏，用戶操作界面友好，所有操作均可在觸摸 屏上完成 |
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系統(tǒng)支持工程師和操作員兩個用戶級別，提供用戶權(quán)限管理功能 |
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系統(tǒng)自帶缺水，缺氣，電源缺相，火球跳變，過溫過載，打火等自動保護(hù) |
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可設(shè)置多達(dá)10 套工藝配方，每套配方有40 行數(shù)據(jù)，生產(chǎn)流程通過工藝配方自 動控制，工藝數(shù)據(jù)可通過U 盤備份導(dǎo)出 |
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系統(tǒng)自帶全自動抽氣，點火，升溫，降溫等預(yù)設(shè)流程，用戶操作簡便 |
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全自動溫度控制，氣壓控制，極大減輕系統(tǒng)操作員的工作量 |
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